2SA1680(T6DNSO,F,M

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Número de parte 2SA1680(T6DNSO,F,M
LIXINC Part # 2SA1680(T6DNSO,F,M
Fabricante Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría semiconductor discretotransistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD 2SA1680(T6DNSO,F,M Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SA1680(T6DNSO,F,M Especificaciones

Número de parte:2SA1680(T6DNSO,F,M
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
paquete:Bulk
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:PNP
corriente - colector (ic) (max):2 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:500mV @ 50mA, 1A
corriente - corte del colector (máx.):1µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 100mA, 2V
potencia - máx.:900 mW
frecuencia - transición:100MHz
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete / caja:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
paquete de dispositivos del proveedor:TO-92MOD

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