2SA1869-Y(Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1869-Y(Q,M)

2SA1869-Y(Q,M)

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Número de parte	2SA1869-Y(Q,M)
LIXINC Part #	2SA1869-Y(Q,M)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS PNP 3A 50V TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SA1869-Y(Q,M) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SA1869-Y(Q,M) Especificaciones

Número de parte:	2SA1869-Y(Q,M)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	3 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	600mV @ 200mA, 2A
corriente - corte del colector (máx.):	1µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 500mA, 2V
potencia - máx.:	10 W
frecuencia - transición:	100MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220NIS