NP36P04KDG-E1-AY | Renesas Electronics America NP36P04KDG-E1-AY | NP36P04KDG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP36P04KDG-E1-AY

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Número de parte	NP36P04KDG-E1-AY
LIXINC Part #	NP36P04KDG-E1-AY
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NP36P04KDG-E1-AY Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NP36P04KDG-E1-AY Especificaciones

Número de parte:	NP36P04KDG-E1-AY
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	36A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	17mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2800 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB