IXTP2R4N50P | Wickmann / Littelfuse IXTP2R4N50P | IXTP2R4N50P Inventory, Best Pricing

IXTP2R4N50P

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IXTP2R4N50P
LIXINC Part #	IXTP2R4N50P
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXTP2R4N50P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXTP2R4N50P Especificaciones

Número de parte:	IXTP2R4N50P
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	PolarHV™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	500 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.75Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5.5V @ 25µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.1 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	240 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3