PHB110NQ06LT,118 | NXP Semiconductors PHB110NQ06LT,118 | PHB110NQ06LT,118 Inventory, Best Pricing

PHB110NQ06LT,118

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Número de parte	PHB110NQ06LT,118
LIXINC Part #	PHB110NQ06LT,118
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHB110NQ06LT,118 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHB110NQ06LT,118 Especificaciones

Número de parte:	PHB110NQ06LT,118
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	45 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3960 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB