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BSS123/LF1R

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Número de parte	BSS123/LF1R
LIXINC Part #	BSS123/LF1R
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSS123/LF1R Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSS123/LF1R Especificaciones

Número de parte:	BSS123/LF1R
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	150mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.8V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	40 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-236AB
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3