SSM3K01T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K01T(TE85L,F) | SSM3K01T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3K01T(TE85L,F)

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Número de parte	SSM3K01T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3K01T(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM3K01T(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM3K01T(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	SSM3K01T(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	π-MOSVI
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4V
rds en (máx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 1.6A, 4V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	152 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TSM
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3