IRF6712STR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6712STR1PBF | IRF6712STR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6712STR1PBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRF6712STR1PBF
LIXINC Part #	IRF6712STR1PBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF6712STR1PBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF6712STR1PBF Especificaciones

Número de parte:	IRF6712STR1PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	17A (Ta), 68A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 50µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1570 pF @ 13 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DIRECTFET™ SQ
paquete / caja:	DirectFET™ Isometric SQ