RJK1002DPN-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK1002DPN-E0#T2 | RJK1002DPN-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK1002DPN-E0#T2

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Número de parte	RJK1002DPN-E0#T2
LIXINC Part #	RJK1002DPN-E0#T2
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RJK1002DPN-E0#T2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RJK1002DPN-E0#T2 Especificaciones

Número de parte:	RJK1002DPN-E0#T2
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	70A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	94 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6450 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3