FDC642P-F085P | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDC642P-F085P

FDC642P-F085P

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Número de parte	FDC642P-F085P
LIXINC Part #	FDC642P-F085P
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDC642P-F085P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDC642P-F085P Especificaciones

Número de parte:	FDC642P-F085P
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	630 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TSOT-23-6
paquete / caja:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6