RJK6002DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK6002DPH-E0#T2 | RJK6002DPH-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK6002DPH-E0#T2

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Número de parte	RJK6002DPH-E0#T2
LIXINC Part #	RJK6002DPH-E0#T2
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RJK6002DPH-E0#T2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RJK6002DPH-E0#T2 Especificaciones

Número de parte:	RJK6002DPH-E0#T2
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.2 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	165 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-251
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA