SI3812DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI3812DV-T1-E3 | SI3812DV-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI3812DV-T1-E3

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Número de parte	SI3812DV-T1-E3
LIXINC Part #	SI3812DV-T1-E3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SI3812DV-T1-E3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SI3812DV-T1-E3 Especificaciones

Número de parte:	SI3812DV-T1-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	LITTLE FOOT®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	600mV @ 250µA (Min)
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	Schottky Diode (Isolated)
disipación de potencia (máx.):	830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-TSOP
paquete / caja:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6