IRFSL33N15DTRRP | IR (Infineon Technologies) IRFSL33N15DTRRP | IRFSL33N15DTRRP Inventory, Best Pricing

IRFSL33N15DTRRP

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Número de parte	IRFSL33N15DTRRP
LIXINC Part #	IRFSL33N15DTRRP
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFSL33N15DTRRP Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFSL33N15DTRRP Especificaciones

Número de parte:	IRFSL33N15DTRRP
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	150 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	33A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	56mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2020 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-262
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA