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STV160NF02LT4

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Número de parte	STV160NF02LT4
LIXINC Part #	STV160NF02LT4
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STV160NF02LT4 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STV160NF02LT4 Especificaciones

Número de parte:	STV160NF02LT4
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	STripFET™ II
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	160A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4800 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	10-PowerSO
paquete / caja:	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad