RJK0852DPB-00#J5 | Renesas Electronics America RJK0852DPB-00#J5 | RJK0852DPB-00#J5 Inventory, Best Pricing

RJK0852DPB-00#J5

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Número de parte	RJK0852DPB-00#J5
LIXINC Part #	RJK0852DPB-00#J5
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RJK0852DPB-00#J5 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RJK0852DPB-00#J5 Especificaciones

Número de parte:	RJK0852DPB-00#J5
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	30A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4150 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	LFPAK
paquete / caja:	SC-100, SOT-669