NDS8852H | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NDS8852H

NDS8852H

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Número de parte	NDS8852H
LIXINC Part #	NDS8852H
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDS8852H Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDS8852H Especificaciones

Número de parte:	NDS8852H
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N and P-Channel
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.3A, 3.4A
rds en (máx.) @ id, vgs:	80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.8V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	25nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	300pF @ 15V
potencia - máx.:	1W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC