IRF6723M2DTR1P | IR (Infineon Technologies) IRF6723M2DTR1P | IRF6723M2DTR1P Inventory, Best Pricing

IRF6723M2DTR1P

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Número de parte	IRF6723M2DTR1P
LIXINC Part #	IRF6723M2DTR1P
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF6723M2DTR1P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF6723M2DTR1P Especificaciones

Número de parte:	IRF6723M2DTR1P
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	15A
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.35V @ 25µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1380pF @ 15V
potencia - máx.:	2.7W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DirectFET™ Isometric MA
paquete de dispositivos del proveedor:	DIRECTFET™ MA