PHKD3NQ10T,518 | Nexperia PHKD3NQ10T,518 | PHKD3NQ10T,518 Inventory, Best Pricing

PHKD3NQ10T,518

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Número de parte	PHKD3NQ10T,518
LIXINC Part #	PHKD3NQ10T,518
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHKD3NQ10T,518 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHKD3NQ10T,518 Especificaciones

Número de parte:	PHKD3NQ10T,518
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A
rds en (máx.) @ id, vgs:	90mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	21nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	633pF @ 20V
potencia - máx.:	2W
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO