SSM6L13TU(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6L13TU(T5L,F,T) | SSM6L13TU(T5L,F,T) Inventory, Best Pricing

SSM6L13TU(T5L,F,T)

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Número de parte	SSM6L13TU(T5L,F,T)
LIXINC Part #	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM6L13TU(T5L,F,T) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM6L13TU(T5L,F,T) Especificaciones

Número de parte:	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N and P-Channel
característica fet:	Logic Level Gate, 1.8V Drive
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	800mA (Ta)
rds en (máx.) @ id, vgs:	143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
potencia - máx.:	500mW
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-SMD, Flat Leads
paquete de dispositivos del proveedor:	UF6