APTM120TDU57PG | Microsemi APTM120TDU57PG | APTM120TDU57PG Inventory, Best Pricing

APTM120TDU57PG

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Número de parte	APTM120TDU57PG
LIXINC Part #	APTM120TDU57PG
Fabricante	Microsemi
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APTM120TDU57PG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APTM120TDU57PG Especificaciones

Número de parte:	APTM120TDU57PG
Marca:	Microsemi
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Microsemi
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200V (1.2kV)
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	17A
rds en (máx.) @ id, vgs:	684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	187nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5155pF @ 25V
potencia - máx.:	390W
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	SP6
paquete de dispositivos del proveedor:	SP6-P