IRFH4255DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH4255DTRPBF | IRFH4255DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH4255DTRPBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRFH4255DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4255DTRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFH4255DTRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFH4255DTRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFH4255DTRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	64A, 105A
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 35µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	15nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1314pF @ 13V
potencia - máx.:	31W, 38W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	PQFN (5x6)