GA200SA60S | Vishay General Semiconductor – Diodes Division GA200SA60S

GA200SA60S

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	GA200SA60S
LIXINC Part #	GA200SA60S
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	GA200SA60S Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

GA200SA60S Especificaciones

Número de parte:	GA200SA60S
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	-
estado de la pieza:	Obsolete
tipo igbt:	-
configuración:	Single
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	200 A
potencia - máx.:	630 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	1.3V @ 15V, 100A
corriente - corte del colector (máx.):	1 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	16.25 nF @ 30 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	No
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	SOT-227-4, miniBLOC
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-227B