Solo por referencia
Número de parte | CYDD09S36V18-200BBXC |
LIXINC Part # | CYDD09S36V18-200BBXC |
Fabricante | Cypress Semiconductor |
Categoría | circuitos integrados › memoria |
Descripción | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | CYDD09S36V18-200BBXC Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | CYDD09S36V18-200BBXC |
Marca: | Cypress Semiconductor |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | circuitos integrados |
Subcategoría: | memoria |
Fabricante: | Cypress Semiconductor |
serie: | - |
paquete: | Tray |
estado de la pieza: | Obsolete |
tipo de memoria: | Volatile |
formato de memoria: | SRAM |
tecnología: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
tamaño de la memoria: | 9Mb (128K x 36 x 2) |
interfaz de memoria: | Parallel |
frecuencia de reloj: | 200 MHz |
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página: | - |
tiempo de acceso: | 500 ps |
suministro de voltaje: | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete / caja: | 256-LBGA |
paquete de dispositivos del proveedor: | 256-FBGA (17x17) |
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En stock | 10886 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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