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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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Número de parte	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
LIXINC Part #	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Especificaciones

Número de parte:	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - Mobile LPDDR2
tamaño de la memoria:	1Gb (64M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	533 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	134-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	134-VFBGA (10x11.5)