IS61DDB22M18C-250B4LI

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Número de parte IS61DDB22M18C-250B4LI
LIXINC Part # IS61DDB22M18C-250B4LI
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IS61DDB22M18C-250B4LI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61DDB22M18C-250B4LI Especificaciones

Número de parte:IS61DDB22M18C-250B4LI
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Synchronous, DDR II
tamaño de la memoria:36Mb (2M x 18)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:250 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:8.4 ns
suministro de voltaje:1.71V ~ 1.89V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:165-LFBGA (13x15)

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