THGBMHG9C4LBAIR

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Número de parte THGBMHG9C4LBAIR
LIXINC Part # THGBMHG9C4LBAIR
Fabricante Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC FLASH 512GBIT EMMC 153WFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD THGBMHG9C4LBAIR Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Nov 01 - Nov 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

THGBMHG9C4LBAIR Especificaciones

Número de parte:THGBMHG9C4LBAIR
Marca:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:e•MMC™
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:FLASH
tecnología:FLASH - NAND
tamaño de la memoria:512Gb (64G x 8)
interfaz de memoria:eMMC
frecuencia de reloj:52 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:153-WFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:153-WFBGA (11.5x13)

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