IS61NLP25636A-200B2LI-TR

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Número de parte IS61NLP25636A-200B2LI-TR
LIXINC Part # IS61NLP25636A-200B2LI-TR
Fabricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IS61NLP25636A-200B2LI-TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61NLP25636A-200B2LI-TR Especificaciones

Número de parte:IS61NLP25636A-200B2LI-TR
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:9Mb (256K x 36)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:3.1 ns
suministro de voltaje:3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:119-BBGA
paquete de dispositivos del proveedor:119-PBGA (14x22)

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