MT47H64M8JN-25E:G

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Número de parte	MT47H64M8JN-25E:G
LIXINC Part #	MT47H64M8JN-25E:G
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT47H64M8JN-25E:G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT47H64M8JN-25E:G Especificaciones

Número de parte:	MT47H64M8JN-25E:G
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:	512Mb (64M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	400 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	400 ps
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	60-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	60-FBGA (8x10)

MT47H64M8JN-25E:G Documentos

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