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CY62256NLL-55SNXET

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Número de parte	CY62256NLL-55SNXET
LIXINC Part #	CY62256NLL-55SNXET
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY62256NLL-55SNXET Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 28 - Nov 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY62256NLL-55SNXET Especificaciones

Número de parte:	CY62256NLL-55SNXET
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	MoBL®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	256Kb (32K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	55ns
tiempo de acceso:	55 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	28-SOIC

AT28BV64-25PC	IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP	975 Más sobre el pedido
MT44K32M18RB-093:A	IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA	992 Más sobre el pedido
CY7C1061DV33-10BV1XI	IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA	815 Más sobre el pedido
70V3379S5PRFI8	IC SRAM 576KBIT PARALLEL 128TQFP	983 Más sobre el pedido
MT48LC4M32B2TG-6:G TR	IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II	946 Más sobre el pedido
IS42VM16160D-8TLI	IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II	815 Más sobre el pedido
R1RW0416DSB-2PR#B0	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	861 Más sobre el pedido
MT48LC4M16A2P-7E:G	IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II	947 Más sobre el pedido
W631GU8KB-12 TR	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA	835 Más sobre el pedido
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