MT49H32M18CSJ-25E:B

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Número de parte	MT49H32M18CSJ-25E:B
LIXINC Part #	MT49H32M18CSJ-25E:B
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT49H32M18CSJ-25E:B Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT49H32M18CSJ-25E:B Especificaciones

Número de parte:	MT49H32M18CSJ-25E:B
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	DRAM
tamaño de la memoria:	576Mb (32M x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	400 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	15 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	144-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	144-FBGA (18.5x11)

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