70V3579S6DR

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Número de parte	70V3579S6DR
LIXINC Part #	70V3579S6DR
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	70V3579S6DR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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70V3579S6DR Especificaciones

Número de parte:	70V3579S6DR
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Synchronous
tamaño de la memoria:	1.125Mb (32K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	6 ns
suministro de voltaje:	3.15V ~ 3.45V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	208-BFQFP
paquete de dispositivos del proveedor:	208-PQFP (28x28)

70V3579S6DR Documentos

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