MT41K512M8RH-125 V:E

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Número de parte	MT41K512M8RH-125 V:E
LIXINC Part #	MT41K512M8RH-125 V:E
Fabricante	Micron Technology
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT41K512M8RH-125 V:E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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MT41K512M8RH-125 V:E Especificaciones

Número de parte:	MT41K512M8RH-125 V:E
Marca:	Micron Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Micron Technology
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR3L
tamaño de la memoria:	4Gb (512M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	800 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	13.75 ns
suministro de voltaje:	1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	78-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	78-FBGA (9x10.5)

MT41K512M8RH-125 V:E Documentos

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