IS61NVP51236B-200B3I-TR | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVP51236B-200B3I-TR | IS61NVP51236B-200B3I-TR Inventory, Best Pricing

IS61NVP51236B-200B3I-TR

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Número de parte	IS61NVP51236B-200B3I-TR
LIXINC Part #	IS61NVP51236B-200B3I-TR
Fabricante	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IS61NVP51236B-200B3I-TR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IS61NVP51236B-200B3I-TR Especificaciones

Número de parte:	IS61NVP51236B-200B3I-TR
Marca:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR
tamaño de la memoria:	18Mb (512K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	3 ns
suministro de voltaje:	2.375V ~ 2.625V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-TBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-TFBGA (13x15)