IDT70P3337S233RMI | Renesas Electronics America IDT70P3337S233RMI | IDT70P3337S233RMI Inventory, Best Pricing

IDT70P3337S233RMI

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Número de parte	IDT70P3337S233RMI
LIXINC Part #	IDT70P3337S233RMI
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IDT70P3337S233RMI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IDT70P3337S233RMI Especificaciones

Número de parte:	IDT70P3337S233RMI
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
tamaño de la memoria:	9Mb (512K x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	233 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	7.2 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	576-BBGA, FCBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	576-FCBGA (25x25)