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A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6
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Número de parte A3T19H455W23SR6
LIXINC Part # A3T19H455W23SR6
Fabricante NXP Semiconductors
Categoría semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD A3T19H455W23SR6 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A3T19H455W23SR6 Especificaciones

Número de parte:A3T19H455W23SR6
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:NXP Semiconductors
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Active
tipo de transistor:LDMOS (Dual)
frecuencia:1.93GHz ~ 1.99GHz
ganar:16.4dB
voltaje - prueba:30 V
clasificación actual (amperios):10µA
figura de ruido:-
corriente - prueba:540 mA
Salida de potencia:81W
voltaje - nominal:65 V
paquete / caja:ACP-1230S-4L2S
paquete de dispositivos del proveedor:ACP-1230S-4L2S

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