MRF7S19170HSR3 | Rochester Electronics MRF7S19170HSR3 | MRF7S19170HSR3 Inventory, Best Pricing

MRF7S19170HSR3

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Número de parte	MRF7S19170HSR3
LIXINC Part #	MRF7S19170HSR3
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF L BAND, N-CHANNEL
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MRF7S19170HSR3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MRF7S19170HSR3 Especificaciones

Número de parte:	MRF7S19170HSR3
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	1.99GHz
ganar:	17.2dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.4 A
Salida de potencia:	50W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	NI-880S
paquete de dispositivos del proveedor:	NI-880S

VRF152GMP	RF MOSFET (VDMOS) 140V 150W	973 Más sobre el pedido
2SK2171-5-TD-E	NCH J-FET	5920 Más sobre el pedido
2SK315E-SPA-AC	NCH J-FET	38305 Más sobre el pedido
2SK3617-E	NCH 4V DRIVE SERIES	5376 Más sobre el pedido
AFT26HW050SR3	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4	864 Más sobre el pedido
VEC2401-TL-E	NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	480974 Más sobre el pedido
2SK1215IGETL-E	RF N-CHANNEL MOSFET	945 Más sobre el pedido
PTFC261402FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	802 Más sobre el pedido
CPH6316-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	105882 Más sobre el pedido
30C01S-TL-E	BIP NPN 0.4A 30V	975 Más sobre el pedido
A3T18H455W23SR6	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	855 Más sobre el pedido
FDMC6676BZ	P-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFET	199266 Más sobre el pedido
PTAC240502FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	809 Más sobre el pedido

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$126.05000	$126.05
250	$ 100.83888	$25209.72

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