MRF5S21150HR3 | NXP Semiconductors MRF5S21150HR3 | MRF5S21150HR3 Inventory, Best Pricing

MRF5S21150HR3

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Número de parte	MRF5S21150HR3
LIXINC Part #	MRF5S21150HR3
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MRF5S21150HR3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MRF5S21150HR3 Especificaciones

Número de parte:	MRF5S21150HR3
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	2.11GHz ~ 2.17GHz
ganar:	12.5dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.3 A
Salida de potencia:	33W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	NI-880
paquete de dispositivos del proveedor:	NI-880

3LN04MH-TL-E	NCH 1.5V DRIVE SERIES	96861 Más sobre el pedido
PXFC211507SCV1R250XTMA1	IC AMP RF LDMOS	865 Más sobre el pedido
AFT26HW050GSR3-NXP	RF N CHANNEL, MOSFET	1067 Más sobre el pedido
MCH6610-TL-E	NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	893 Más sobre el pedido
GTRA384802FC-V1-R2	GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ	855 Más sobre el pedido
30C01C-TB-E	BIP NPN 0.4A 30V	54933 Más sobre el pedido
A3G26H501W17SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	832 Más sobre el pedido
CG2H40010P	10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P	940 Más sobre el pedido
PXAC261002FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	999 Más sobre el pedido
AD9920BBCZRL	12 BIT, 40 MHZ AFETG CONVERTER	6953 Más sobre el pedido
MMRF2005GNR1	SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND	817 Más sobre el pedido
BLP10H660PY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF	994 Más sobre el pedido
IGN1011L1200	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	895 Más sobre el pedido

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