RN1309,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1309,LF

RN1309,LF

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Número de parte	RN1309,LF
LIXINC Part #	RN1309,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RN1309,LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RN1309,LF Especificaciones

Número de parte:	RN1309,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	47 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	22 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 5mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	250 MHz
potencia - máx.:	100 mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-70, SOT-323
paquete de dispositivos del proveedor:	USM

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