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CY14B116N-BA25XIT

CY14B116N-BA25XIT
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Número de parte CY14B116N-BA25XIT
LIXINC Part # CY14B116N-BA25XIT
Fabricante Cypress Semiconductor
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CY14B116N-BA25XIT Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14B116N-BA25XIT Especificaciones

Número de parte:CY14B116N-BA25XIT
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Cypress Semiconductor
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:NVSRAM
tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:16Mb (1M x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:25ns
tiempo de acceso:25 ns
suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:60-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:60-FBGA (10x18)

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