1N6080US | Roving Networks / Microchip Technology 1N6080US

1N6080US

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Número de parte	1N6080US
LIXINC Part #	1N6080US
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N6080US Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N6080US Especificaciones

Número de parte:	1N6080US
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	100 V
corriente - media rectificada (io):	2A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.5 V @ 37.7 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	30 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	10 µA @ 100 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SQ-MELF, G
paquete de dispositivos del proveedor:	G-MELF (D-5C)
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 155°C

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