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JAN1N5550US

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Número de parte JAN1N5550US
LIXINC Part # JAN1N5550US
Fabricante Roving Networks / Microchip Technology
Categoría semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD JAN1N5550US Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

JAN1N5550US Especificaciones

Número de parte:JAN1N5550US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:diodos - rectificadores - simples
Fabricante:Roving Networks / Microchip Technology
serie:Military, MIL-PRF-19500/420
paquete:Bulk
estado de la pieza:Discontinued at Digi-Key
tipo de diodo:Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):200 V
corriente - media rectificada (io):3A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:1.2 V @ 9 A
velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):2 µs
corriente - fuga inversa @ vr:1 µA @ 200 V
capacitancia @ vr, f:-
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:SQ-MELF, B
paquete de dispositivos del proveedor:D-5B
temperatura de funcionamiento - empalme:-65°C ~ 175°C

JAN1N5550US Documentos

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