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PXAC261202FCV1XWSA1

PXAC261202FCV1XWSA1
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Número de parte PXAC261202FCV1XWSA1
LIXINC Part # PXAC261202FCV1XWSA1
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD PXAC261202FCV1XWSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PXAC261202FCV1XWSA1 Especificaciones

Número de parte:PXAC261202FCV1XWSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:LDMOS (Dual), Common Source
frecuencia:2.61GHz
ganar:13.5dB
voltaje - prueba:28 V
clasificación actual (amperios):-
figura de ruido:-
corriente - prueba:230 mA
Salida de potencia:28W
voltaje - nominal:65 V
paquete / caja:H-37248-4
paquete de dispositivos del proveedor:H-37248-4

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