BLF4G10LS-160,112 | NXP Semiconductors BLF4G10LS-160,112 | BLF4G10LS-160,112 Inventory, Best Pricing

BLF4G10LS-160,112

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Número de parte	BLF4G10LS-160,112
LIXINC Part #	BLF4G10LS-160,112
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLF4G10LS-160,112 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLF4G10LS-160,112 Especificaciones

Número de parte:	BLF4G10LS-160,112
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	894.2MHz
ganar:	19.7dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	15A
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	900 mA
Salida de potencia:	160W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	SOT-502B
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT502B

PTFB260605ELV1XWSA1	IC FET RF LDMOS	982 Más sobre el pedido
PTFA081501E1V4T500XWSA1	IC RF FET LDMOS H-36248-2	859 Más sobre el pedido
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PTFA092201E-V4-R0	RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2	967 Más sobre el pedido
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MRF8S18210WGHSR5	FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS	870 Más sobre el pedido
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MRF5S19150HSR3	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S	921 Más sobre el pedido

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