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MT47R512M4EB-25E:C

MT47R512M4EB-25E:C
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Número de parte MT47R512M4EB-25E:C
LIXINC Part # MT47R512M4EB-25E:C
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT47R512M4EB-25E:C Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 29 - Nov 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47R512M4EB-25E:C Especificaciones

Número de parte:MT47R512M4EB-25E:C
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Discontinued at Digi-Key
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:2Gb (512M x 4)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:400 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:15ns
tiempo de acceso:400 ps
suministro de voltaje:1.55V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:60-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:60-FBGA (9x11.5)

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