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7006S17J

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Número de parte	7006S17J
LIXINC Part #	7006S17J
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	7006S17J Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Nov 01 - Nov 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

7006S17J Especificaciones

Número de parte:	7006S17J
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
tamaño de la memoria:	128Kb (16K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	17ns
tiempo de acceso:	17 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	68-LCC (J-Lead)
paquete de dispositivos del proveedor:	68-PLCC (24.21x24.21)

MT53B4DATT-DC TR	LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDP	972 Más sobre el pedido
EMB4432BBBBJ-DV-F-D	SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG	801 Más sobre el pedido
DS28E01P-W0S+1T	IC EEPROM MEMORY 1KB SMD TOSC	860 Más sobre el pedido
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MT49H8M36BM-25 IT:B TR	IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA	851 Más sobre el pedido
MT49H32M18BM-25:B	IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA	994 Más sobre el pedido
MT29F1G08ABBEAH4:E TR	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA	805 Más sobre el pedido
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4	IC FLASH 72G SLC DDR	801 Más sobre el pedido
S99-50356	IC FLASH	948 Más sobre el pedido
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MT61K256M32JE-13:A	IC RAM 8GBIT PARALLEL 180FBGA	871 Más sobre el pedido
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MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR	IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA	806 Más sobre el pedido

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