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MT47H512M4THN-25E:M

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Número de parte MT47H512M4THN-25E:M
LIXINC Part # MT47H512M4THN-25E:M
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT47H512M4THN-25E:M Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47H512M4THN-25E:M Especificaciones

Número de parte:MT47H512M4THN-25E:M
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:2Gb (512M x 4)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:400 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:15ns
tiempo de acceso:400 ps
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:63-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:63-FBGA (8x10)

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