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MT41K512M16TNA-125 M:E

MT41K512M16TNA-125 M:E
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Número de parte MT41K512M16TNA-125 M:E
LIXINC Part # MT41K512M16TNA-125 M:E
Fabricante Micron Technology
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MT41K512M16TNA-125 M:E Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 26 - Oct 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT41K512M16TNA-125 M:E Especificaciones

Número de parte:MT41K512M16TNA-125 M:E
Marca:Micron Technology
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Micron Technology
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:DRAM
tecnología:SDRAM - DDR3L
tamaño de la memoria:8Gb (512M x 16)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:800 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:13.5 ns
suministro de voltaje:1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:96-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:96-FBGA (10x14)

MT41K512M16TNA-125 M:E Documentos

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