MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S111P(TE12L,F) | MT3S111P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

MT3S111P(TE12L,F)

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Número de parte	MT3S111P(TE12L,F)
LIXINC Part #	MT3S111P(TE12L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MT3S111P(TE12L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MT3S111P(TE12L,F) Especificaciones

Número de parte:	MT3S111P(TE12L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	6V
frecuencia - transición:	8GHz
figura de ruido (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
ganar:	10.5dB
potencia - máx.:	1W
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
corriente - colector (ic) (max):	100mA
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-243AA
paquete de dispositivos del proveedor:	PW-MINI