55GN01MA-TL-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 55GN01MA-TL-E

55GN01MA-TL-E

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Número de parte	55GN01MA-TL-E
LIXINC Part #	55GN01MA-TL-E
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - rf
Descripción	RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	55GN01MA-TL-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

55GN01MA-TL-E Especificaciones

Número de parte:	55GN01MA-TL-E
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - rf
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	10V
frecuencia - transición:	4.5GHz ~ 5.5GHz
figura de ruido (db typ @ f):	1.9dB @ 1GHz
ganar:	10dB @ 1GHz
potencia - máx.:	400mW
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 10mA, 5V
corriente - colector (ic) (max):	70mA
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-70, SOT-323
paquete de dispositivos del proveedor:	3-MCP

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