TPC8223-H,LQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

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Número de parte	TPC8223-H,LQ(S
LIXINC Part #	TPC8223-H,LQ(S
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPC8223-H,LQ(S Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPC8223-H,LQ(S Especificaciones

Número de parte:	TPC8223-H,LQ(S
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A
rds en (máx.) @ id, vgs:	17mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.3V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1190pF @ 10V
potencia - máx.:	450mW
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP

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